瀚天天成电子科技（厦门） 有限公司

瀚天天成电子科技（厦门）有限公司于2011年3月在厦门火炬高新区正式成立，已在厦门火炬高新区（翔安）产业区建成现代化生产厂房，含百级超净车间、检测、动力及辅助设施等。公司引进德国Aixtron公司制造的全球先进的碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备，形成了完整的碳化硅外延晶片生产线。2012年3月9日，公司正式宣布开始接受商业化碳化硅半导体外延晶片订单，成为中国第一家提供产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片生产商，填补了国内该领域的空白。2014年4月，公司正式接受商业化6英寸碳化硅外延晶片订单，成为国内首家提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商。同时，公司正式成为国际上四家6英寸碳化硅外延晶片生产商之一。

瀚天天成的“第三代半导体碳化硅外延材料产业化”项目，被国家发改委列入2012年国家“电子信息产业振兴和技术改造”项目，并于2013年顺利通过验收。目前，公司正联合南车集团、中科院和高等院校等单位共同承担十二五国家科技重大专项（02专项），《碳化硅电力电子器件集成制造技术研发与产业化》项目（项目编号：2013ZX02305）。此外，公司还联合其他企业共同承担了2个国家科技部863项目，项目名称分别为 《基于SiC电力电子器件的并网光伏逆变器研制》（我司为项目牵头单位）和《大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究》,目前这两个项目均已完成技术验收，正在进行财务验收。同时，还联合中车集团等单位共同承担了1项国家重点研发计划，项目名称为“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”，项目编号为2016YFB0400400。

2012年，瀚天天成技术团队入选福建省引进高层次创业创新团队，技术团队核心成员还获得厦门市海外高层次创业人才、领军型创业人才等多种荣誉称号。2013年，研发副总裁冯淦博士获得厦门市“双百人才”（海外高层次创新类）称号和福建省第三批引进高层次创新人才称号。2015年2月，公司技术领军人物赵建辉博士入选中组部第十一批“千人计划”。2015年6月，公司“大尺寸碳化硅外延材料的厚膜生长技术及产业化”项目在2015年厦门农商银行杯小微企业创业创新大赛中荣获二等奖。2015年7月，公司技术团队荣获国务院侨办“重点华侨华人创业团队”称号。2015年10月，公司在意大利召开的国际碳化硅年会上报道了自主研发的最新碳化硅外延生长基面位错抑制技术，全球首次在4英寸碳化硅外延晶片产品上实现零基面位错。这一最新研发成果在行业内引起高度关注，也彰显了瀚天天成公司在碳化硅外延技术的创新能力和发展实力。同时，公司研发副总裁冯淦博士还受大会组委会的邀请，在年会中担任碳化硅外延生长分会的主席。冯淦博士还担任“中国宽禁带功率半导体产业联盟”副秘书长、“宽禁带半导体碳化硅科学与技术青年促进会”副秘书长，同时还被“国际固态器件与材料会议（SSDM）”大会组委会邀请担当2014/2015/2016/2017年功率器件分会委员会委员。冯淦博士还受日本碳化硅外延材料标准化起草委员会的邀请，代表中国担任国际委员参与标准化的起草工作。2015年12月，瀚天天成“6英寸SiC外延生产线项目”荣获国家发改委2015年第三批专项建设基金支持。2016年9月底，公司在希腊召开的碳化硅年会上报道了自主研发的最新SiC外延生长层错(IGSFs)抑制技术，这一最新研发成果在会上获得业界人士的高度关注和认可。此项技术突破是继基面位错(BPDs)抑制技术研发成功后的又一大外延生长技术突破，对SiC外延质量的提升具有重大意义。公司采用自主研发的层错抑制技术，首次批量实现6英寸SiC外延晶片产品中的层错密度由5cm-2下降到1 cm-2。2017年9月中旬，公司参加在美国华盛顿召开的碳化硅年会（ICSCRM 2017）,并报道了公司6英寸SiC外延晶片的最新进展情况（尤其是厚膜外延），引起了业界人士的高度关注。

目前，瀚天天成公司的主营产品碳化硅外延晶片，已经可以满足600V、1.2kV、1.7kV、3.3kV器件制作的需求，顺利实现海内外销售（拥有国内客户25家，海外客户18家）。各家客户对瀚天天成的产品都给予了高度的肯定和评价。以日本客户新电元公司为例，该公司将美国Cree、日本昭和电工以及瀚天天成的外延晶片产品做了盲比后显示，使用瀚天天成的外延晶片，器件（芯片）产出率最高，比美国Cree公司还高出12.8％。

/  招聘信息

/  福利待遇

n 五险一金；绩效奖金；全勤奖；过节费；

n 毕业生落户（本科）；

n 生日礼金；餐费补贴；

n 定期体检；

n 多元化的培训；

n 各种带薪假期：年假、婚假、产假、陪产假等；