国博电子:拟开展射频集成电路产业化项目二期建设

栏目:行业资讯 来源:网站管理员 时间:2023-02-23 14:37 热度:82
来源:大半导体产业网    2023-02-23
国博电子发布公告称,拟购买土地使用权开展射频集成电路产业化项目二期建设。

大半导体产业网消息,国博电子2月22日发布公告称,根据射频集成电路产业化项目整体规划,公司拟使用自有或自筹资金购买位于南京市江宁区金鑫西路以东、凤矿路以西地块的土地使用权(最终购买金额和面积以实际出让文件为准),并开展射频集成电路产业化项目二期建设。

公告显示,本次项目投资预计为6.98亿元,其中土地使用权购置费预计0.40亿元,设计采购施工总承包费用预计6.02亿元。

据了解,射频集成电路产业化项目总投资16.62亿元,分两期建设。目前一期已基本完成中试厂房、芯片厂房和模块厂房的建设和工艺设备购置。