宣称一期投资60亿元的英诺赛科苏州项目 ，6月5日（芒种时节）开启大规模量产。官说这个占地213亩项目全部达产后，将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，而2021年的小目标是实现产能爬坡达到6000片/月。为此，苏州厂现有400来人至年底有望增加到600多人。
上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源，长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东，苏州市人大常委会副主任沈国芳，吴江区委书记李铭等领导及大基金总裁丁文武，在英诺赛科董事长骆薇薇、总经理孙在亨陪同下开启生产线
英诺赛科苏州项目，2018年6月奠基，2019年8月主厂房封顶，同年9月开始设备搬入，然后2021年6月5日规模量产。英诺赛科董事长骆薇薇有NASA多年工作经历，韩国人孙在亨出任总经理操盘，公司经营的slogan: GaN, yes we can.
英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式，集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体，成功打造硅基氮化镓全产业链平台。2017年11月在珠海率先建成全球首条8英寸硅基氮化镓量产线，产品涵盖30-900V功率半导体器件，IC及射频器件。
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，硅基半导体的性能已无法完全满足需求，而制备技术进步使器件成本不断下降，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，即所谓的第三代半导体技术优势得以体现。据AIXTRON中国区总裁宋伟介绍，今年公司已出货20台MOCVD，其中tsmc就订了8台，可见业界对GaN的热度之高。
GaN具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点，由GaN制成的充电器还可以做到较小的体积。据介绍，英诺赛科氮化镓功率器件，使充电器在集成AC-DC、无线充电发射以及复杂的逻辑控制电路的情况下，可将充电效率提升60%。所以，快充应用是英诺赛科在GaN市场的桥头堡。
其30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品陆续量产，号称是世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业，成为中国目前唯一一家提供氮化镓快充芯片的企业，公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品在2020年4季度出货已达数百万颗。据悉，其低压GaN产品已挤掉美国EPC公司成为国内一家激光雷达企业供应商，实现了国产替代。
由于更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。英诺赛科还成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品，可取代原有硅器件，大幅度提升系统效率，降低能耗及运营成本。今年公司拿到了IATF16949认证，获得进入汽车市场的通行证。
英诺赛科结合德国爱思强MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圆制造线，解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈，成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产，申请国内外核心专利超过250项。基于此，据悉英诺赛科已与国内知名5G射频基站供应商进行战略合作，开发应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片，计划2021 年开始小批量生产，逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。
英诺赛科着力打造从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台，力争成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、封装测试于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目。研发楼建筑面积3.5万平方米，集办公、研发、餐厅三大功能。
英诺赛科计划苏州（全球8英寸最大产能）加珠海厂（全球首条8英寸）到今年年底要达到12000片/月的产能，员工人数达到1500人规模，专利数要累计到700以上。目前，在快充市场公司有60多家客户，发货量上千万级规模；激光雷达客户5家以上，有百万级发货量；数据中心客户有5家，手机应用已有2家Tie 1客户，凭借产品加技术着力在消费、工业及汽车市场推进生态战略。
应对产能需求快速增长的预期，英诺赛科与中国银行就英诺赛科（苏州）“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”现场签约。
面对传统半导体市场中国竞争力的弱小，在以GaAs为代表的第2代半导体的跟随处境，丁文武称，英诺赛科是我国化合物半导体产业的里程碑，使中国进入第3代半导体先进行列。除ASML、AIXTRON、TEL和韩国SK集团等国际大厂外，现场也看到中国本土设备材料龙头供应商北方华创、华海清科、精测和上海新阳、华特气体、晶瑞以及华天等身影。