三星将于2025年初引进High NA EUV光刻机，加快开发1nm芯片

来源：爱集微  时间：2024-10-30

据报道，三星电子正准备在2025年初引入其首款High NA EUV（极紫外）光刻机设备，这标志着这家韩国科技巨头在先进半导体制造领域取得重大进步。这项由荷兰ASML独家提供的尖端技术对于2nm以下的工艺至关重要。韩国行业观察人士预计，三星将加快其1nm芯片商业化的开发工作。

每台High NA EUV光刻机售价约3.5亿美元（约合人民币25亿元），远高于ASML标准EUV系列的1.8亿~2亿美元。High NA系统具有8mm分辨率，晶体管密度是Low NA系统的三倍，因此具有巨大的价值。

据报道，三星首款High NA EUV设备——ASML的EXE:5000型号预计将于2025年初上市。鉴于半导体设备安装的复杂性（通常涉及漫长的测试阶段），EXE:5000预计将于2025年第二季度投入运营。

High NA EUV技术超越了现有的EUV系统，能够创建更精细的电路设计，使其适用于运行在5nm以下的芯片，如CPU和GPU等系统半导体。虽然标准EUV对5nm及以下工艺有效，但High NA EUV可以进一步实现2nm以下的电路尺寸，从而提高性能并减少曝光次数，从而降低生产成本。比利时微电子研究中心IMEC与ASML合作的最新研究表明，一次High NA EUV曝光可以产生完整的逻辑和存储电路。

这一发展标志着三星首次涉足High NA EUV技术。此前，该公司曾与IMEC合作进行电路处理研究。三星计划利用自己的设备加速先进节点的开发，并设定了到2027年实现1.4nm工艺商业化的目标，这可能为1nm生产铺平道路。

在全球范围内，台积电、英特尔和三星等半导体巨头之间的竞争正在升温，它们竞相获得2nm以下工艺的High NA EUV设备。英特尔于2023年12月率先获得该设备，台积电于2024年第三季度紧随其后。尽管三星的订单来得晚，但实现稳定的生产可能是决定行业领先地位的关键因素。

三星计划将在2025年初获得的High NA EUV设备用于研究目的，并计划不久后引入专用的量产设备。在2024年第三季度与ASML的一次会议上，三星表示将重新考虑计划采购的High NA EUV设备数量，这可能会将其初始订单减少两台。该公司最初计划在2024年第四季度引入EXE:5000，后续型号EXE:5200、EXE:5400和EXE:5600将在未来十年内引入。