三星2025年量产2nm芯片：使用背面供电技术，芯片尺寸缩小17%

来源：爱集微  时间：2024-8-28

近日有消息称，三星代工厂预计将于明年开始使用其第一代2nm工艺节点生产芯片，该节点将使EUV层的数量增加30%至26层。

ASML是全球唯一能够生产极紫外(EUV)光刻机的荷兰企业。EUV使用极细的线条将电路图案蚀刻到硅片上，以帮助放置芯片内的元件。智能手机中使用的处理器需要多层。

三星代工厂目前在3nm生产中使用20个EUV层，如果增加30%，其2nm芯片将使用26个EUV层。更多的EUV层会在芯片内部容纳更多的晶体管，从而使SoC能够处理更复杂的任务，同时消耗更少的电量。三星的2nm芯片将比当前一代芯片尺寸缩小17%，功能强大18%，效率提高15%。

除了使用更多EUV层之外，三星代工厂还将在2nm上使用背面供电技术（BSPDN）。这项技术通过将电源线移至芯片背面而非正面，使芯片尺寸减小17%。这减少了电压降，因为有了更多空间，线路可以做得更大。英特尔也在其PowerVia功能中使用了这项技术，它使芯片更强大、更高效。

展望2027年，三星代工厂预计将开始使用其1.4nm节点进行生产，届时EUV层的数量预计将增加到30层以上。晶体管数量将再次增加，应用处理器将比现在更强大、更节能。三星代工厂的主要竞争对手是台积电，这家代工厂目前在其3nm（N3x）生产中使用多达25个EUV层。

三星代工厂于2018年开始采用EUV光刻技术，当时它从10nm转向7nm。在EUV光刻技术出现之前，业界使用的是DUV（深紫外）光刻技术。三星代工厂还在使用EUV进行DRAM生产，其第六代10nm DRAM芯片的制造使用了7层EUV。另一家DRAM设计者和制造商SK海力士使用了5层EUV。

与三星代工厂一样，台积电将于明年开始生产2nm芯片，其1.4nm节点预计将在2027~2028年投入生产。