DRAM涨价将启动,三星、美光2024年Q1涨幅高达20%

栏目:行业资讯 来源:网站管理员 时间:2024-01-03 16:53 热度:23

来源:爱集微  时间:2024-1-3

集微网消息据存储模组公司消息人士表示,三星电子和美光科技等存储芯片供应商正在考虑在2024年第一季度将DRAM价格提高15%-20%。

与飙升的NAND闪存价格相比,2023年第四季度DRAM定价相对稳定。不过,消息人士称,存储芯片制造商目前预计在下一轮涨价中将重点放在DDR4和DDR5等DRAM上,以加速恢复盈利。

有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价,但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%,大幅提升DRAM价格,但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。

随着手机和服务器需求逐渐改善,DRAM供应预计将趋紧。存储芯片制造商目前热衷于在2024上半年提高DDR4和DDR5价格,另外DDR3产量和价格将相对稳定。

消息人士称,存储模组厂商已在过去几个月以低价备货,预计三星将打响下一轮DRAM价格调整的第一枪。

韩国DRAM供应商已降低2023下半年DRAM的利用率。三星2023年第四季度的DRAM产量仅为2023年第一季度的70%左右,并补充说三星提高了先进制造工艺的产量比例。预计2024年第一季度DRAM产量将继续受到严格控制。芯片供应商将更多地依赖先进节点,同时减少成熟工艺的产量。

前三大DRAM芯片厂商的DDR4过去采用1X nm或1Y nm工艺,但在2023年,三星将其8Gb和16Gb产品转移到1Z nm工艺,而美光则将其DDR4生产转移到1α nm工艺。存储芯片制造商也已从16Gb DDR5的1α节点迁移到1β节点。

2023年第四季度DRAM和NAND均未出现供不应求的情况,这表明终端市场需求尚未恢复,2月农历新年前前景将较为保守。